发明名称 |
一种射频半导体器件 |
摘要 |
本发明提供一种射频半导体器件,其中的键合线之间、键合线与其他电感元件之间、或者电感元件之间具有较高的电学隔离度。本发明的一种射频半导体器件包括封装基板及其上的一个或多个半导体芯片,所述半导体芯片和所述封装基板之间还连接有多条键合线,所述多条键合线之间,还设置有一条或多条冗余键合线,所述冗余键合线的一端与所述半导体芯片表面的冗余引脚连接或者与所述半导体芯片表面的金属走线连接,另一端与所述射频半导体器件的接地金属层连接。 |
申请公布号 |
CN103123918A |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201310004964.9 |
申请日期 |
2013.01.04 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
张浩;庞慰;郑云卓;周冲 |
分类号 |
H01L23/552(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/552(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 |
代理人 |
陈波;文琦 |
主权项 |
一种射频半导体器件,所述射频半导体器件包括封装基板及其上的一个或多个半导体芯片,所述半导体芯片和所述封装基板之间还连接有多条键合线,其特征在于:所述多条键合线之间,还设置有一条或多条冗余键合线,所述冗余键合线的一端与所述半导体芯片的冗余引脚连接或者与所述半导体芯片表面的金属走线连接,另一端与所述射频半导体器件的接地金属层连接。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |