制作半导体元件的方法与设备

摘要

本发明公开了一种制作半导体元件的方法与设备。此设备包含第一光罩与第二光罩。第一光罩上具有多个第一特征形成，且第一光罩具有第一全域图案密度。第二光罩上具有多个第二特征，且第二光罩具有第二全域图案密度。这些第一特征与第二特征共同定义出半导体元件的一层的一布局影像。第一全域图案密度与第二全域图案密度具有一预设比例。

主权项

一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：提供一集成电路布局平面，该集成电路布局平面具有多个特征；将该些特征分成多个第一特征与多个第二特征，每一该些第一特征与邻近的该些第一特征各自相距小于一X的一距离，且每一该些第二特征与邻近的该些第二特征各自相距大于该X的一距离，其中该X为一参数的一函数，且该参数选自于由：一半导体制程的一关键尺寸；在该半导体制程的一微影制程中所使用的一辐射波的一波长；在该微影制程中所使用的一透镜的一数值孔径；以及一制程补偿因子所组成的一族群；将每一该些第一特征分配到该些第一特征的一第一子集与一第二子集的一者中；将每一该些第二特征分配到该些第二特征的一第一子集与一第二子集的一者中；以该些第一特征的该第一子集与该些第二特征的该第一子集形成一第一光罩图案，该第一光罩图案具有一第一全域图案密度；以及以该些第一特征的该第二子集与该些第二特征的该第二子集形成一第二光罩图案，该第二光罩图案具有一第二全域图案密度；其中进行分配每一该些第一特征的步骤，以使在该第一子集中的该些第一特征的一群为在该第二子集中的该些第一特征的一群所插入，且分配每一该些第一特征的步骤与分配每一该些第二特征的步骤是使该第一全域图案密度与该第二全域图案密度之间的一差异小于一预设值。