一种具有通孔的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)形成金属层；3)在衬底第一表面上粘附干膜，图形化所述干膜，使干膜在一部分深孔上形成开口；4)向干膜上有开口的的深孔填充金属，去掉所述干膜；5)向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热，改善电源完整性；环形通孔则可以改善通孔结构的应力，以及翘曲变形等问题。

主权项

一种具有硅通孔的半导体结构的制造方法，该半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，其中：所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述环形通孔和实心通孔嵌于所述衬底中，并沿垂直于所述第一表面和第二表面的方向贯穿所述衬底；所述实心通孔，是由金属填充的通孔；所述环形通孔，是由实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔；该方法包括以下步骤：1）在所述衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2）在所述衬底的第一表面和所述深孔中形成金属层；3）在所述衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化所述干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；4）向干膜层上有开口的的深孔填充金属，形成实心金属塞，去掉所述干膜；5）向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6）减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。