接触孔偏移检测方法以及检测结构

摘要

本发明提供了一种接触孔偏移检测方法以及检测结构，所述方法包括：提供晶圆，在检测区域内半导体衬底上至少形成两组平行于平面坐标轴且正交排布的检测图形；所述检测图形包括沿其排布方向间隔设置的第一图形以及第二图形，所述第一图形与第二图形的导电性质具有差异，且相邻的第一图形之间具有第一间距；进行接触孔制作工艺，分别在各检测图形上形成沿坐标轴方向排布的接触孔，使得相邻的接触孔之间具有不同于第一间距的第二间距；采用电子束扫描晶圆的表面，并获取晶圆表面各接触孔位置的扫描亮度；根据各接触孔位置的扫描亮度，判断接触孔的局部偏移方向以及幅度。本发明能够精确检测晶圆上接触孔的偏移方向以及幅度。

主权项

一种接触孔偏移检测方法，用于检测机台进行接触孔制作工艺时的局部偏移情况，其特征在于，包括：提供包括半导体衬底的晶圆，在晶圆的检测区域内，半导体衬底上至少形成两组平行于平面坐标轴且正交排布的检测图形；所述检测图形包括沿其排布方向间隔设置的第一图形以及第二图形，所述第一图形与第二图形的导电性质具有差异，且相邻的第一图形之间具有第一间距；进行接触孔制作工艺，分别在各检测图形上形成沿坐标轴方向排布的接触孔，使得相邻的接触孔之间具有不同于第一间距的第二间距；采用电子束扫描晶圆的表面，并获取晶圆表面各接触孔位置的扫描亮度；根据各接触孔位置的扫描亮度，判断接触孔的局部偏移方向以及幅度。