| 发明名称 | 用于光学数据存储介质的可反饱和吸收的敏化剂及其使用方法 | ||
| 摘要 | 概括地讲，本发明涉及光学数据存储介质，更具体地讲，本发明涉及全息存储介质。在一个实施方案中，所述光学存储介质组合物包含聚合物基质。布置在所述聚合物基质内的是能够在接收从激发的敏化剂传递的能量后经历改变所述组合物的折光指数的改性的反应物。非线性敏化剂也布置在所述聚合物基质内，且所述敏化剂包括在暴露于在约405nm下强度超过强度阈值的光后变到激发态且构造成传递能量到所述反应物的被金属取代的亚酞菁(M-sub-PC)反饱和吸收剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103123793A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201210462680.X | 申请日期 | 2012.11.16 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | A.纳塔拉简;P.J.麦克罗斯基;陈国邦;E.M.金;R.E.科尔博恩;E.P.博登 |
| 分类号 | G11B7/245(2006.01)I;G11B7/246(2013.01)I | 主分类号 | G11B7/245(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐晶;林森 |
| 主权项 | 光学存储介质组合物，其包含：聚合物基质；反应物，其布置在所述聚合物基质内且能够在接收从激发的敏化剂传递的能量后经历改变所述组合物的折光指数的改性；非线性敏化剂，其布置在所述聚合物基质内且包含构造成在暴露于强度大于强度阈值的光后变到激发态且构造成传递能量到所述反应物的被金属取代的亚酞菁(M‑sub‑PC)反饱和吸收剂。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||