发明名称 |
一种SiBON透波材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种SiBON透波材料的制备方法,属于航空材料技术领域。其特征是以正硅酸乙酯、硼酸、金属硅粉为原料,采用金属硅粉还原制备SiBON粉体材料,再利用制得的粉体制备SiBON陶瓷材料,实现了介电性能优异、力学性能稳定的透波材料,为天线罩材料的更新换代,为航天航空事业的发展提供有力支持。对今后研究SiBON材料的性能有借鉴意义。 |
申请公布号 |
CN103121847A |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN201310026180.6 |
申请日期 |
2013.01.24 |
申请人 |
中国地质大学(北京) |
发明人 |
唐潮;房明浩;黄朝晖;刘艳改;吴小文;闵鑫 |
分类号 |
C04B35/597(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/597(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种无压烧结制备SiBON材料的方法。其特征在于:以正硅酸乙酯、硼酸、金属硅粉为原料,将正硅酸乙酯缓慢滴加至硼酸溶液中,水浴环境下进行搅拌,静置成胶。将凝胶置于120℃恒温干燥箱中干燥,干凝胶磨细后与金属硅粉进行配料、球磨、干压成型工艺制备坯体,在N2气氛下1100℃‑1500℃煅烧,保温2h‑6h。自然冷却后取出,研磨并过200目筛获得SiBON粉体材料。将粉体干压成型,制得坯体放入氮气气氛保护的气氛炉中,升温速度为5℃/min,在1400℃‑1700℃下保温1h‑10h后自然冷却至室温即可获得SiBON材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路29号中国地质大学(北京) |