Method of forming fine patterns of semiconductor device
摘要
<p>반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은 기판 상에 스페이서 패턴 및 스페이서 패턴의 양측면과 각각 접하며 스페이서 패턴과 동일 레벨을 갖는 절연층 패턴을 형성하는 단계, 절연층 패턴의 일부분을 제거하여 스페이서 패턴의 양측면을 노출시키는 한 쌍의 리세스를 형성하는 단계 및 리세스에 도전 물질을 채우는 단계를 포함한다.</p>
