发明名称 |
CMOS固态成像装置及其驱动方法 |
摘要 |
一种CMOS固态成像装置能够获得更高的图像质量,同时减少尺寸和功耗、增加像素的数量和速度。根据本发明,在CMOS固态成像装置中,包括根据所接收光的量进行光电转换的光接收部分(11)、用于光接收部分(11)的光电转换部分读出所获得的电荷的传输栅极(12a)、以及设置在光接收部分(11)的外围中的外围晶体管,还包括其驱动方法,其中,施加至所述传输栅极的电压设定得高于施加至外围晶体管的电压。 |
申请公布号 |
CN1751501B |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN200480004403.8 |
申请日期 |
2004.02.18 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
丸山康 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种CMOS固态成像装置,包括:像素部分,包括根据所接收光的量进行光电转换的光接收部分以及对应于所述光接收部分设置的读取晶体管、复位晶体管和放大晶体管,所述读取晶体管具有用于读出通过所述光接收部分中的光电转换所获得的电荷的传输栅极;以及设置在所述像素部分的外围中的晶体管,其特征在于:通过单独地提供电压,施加至所述传输栅极的电压设定得高于施加至外围晶体管的电压,所述外围晶体管包括设置在所述像素部分的外围中的晶体管和设置在所述像素部分中的放大晶体管,其中对应于所述传输栅极的栅极绝缘膜的厚度比对应于所述外围晶体管的栅极绝缘膜的厚度要大。 |
地址 |
日本东京都 |