使用多个调节盘调节化学机械抛光设备的系统和方法

摘要

一种化学机械抛光(CMP)设备，用于抛光半导体晶片，并用于同时使用多个调节盘调节CMP设备的抛光垫。调节盘可以沿抛光垫的表面一起或独立地移动以调节旋转的抛光垫的整个表面。

主权项

一种用于在衬底上进行化学机械抛光(CMP)的方法，包括：在CMP设备的抛光垫上抛光所述衬底以从所述衬底的表面之上移除过量材料，使用多于一个独立的可控制调节构件，每个调节构件包括调节盘，通过促使每个所述调节盘的金刚石表面压到所述抛光垫上来调节所述抛光垫；其中，调节构件独立地沿抛光垫的表面移动，调节构件的旋转速度是独立可控的，每个调节构件连接到对应的调节臂，每个调节臂连接到独立的机械移动装置；其中，所述抛光垫置于台板上，并相对于所述台板固定，所述抛光包括旋转所述台板，所述方法还包括沿所述抛光垫的径向同时滑动每个所述调节构件，包括仅沿所述抛光垫的半径的第一分段滑动第一所述调节构件，以及沿所述抛光垫的所述半径的又一分段滑动第二所述调节构件，这样调节所述抛光垫的所有位置。