发明名称 |
基板处理装置用部件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤,使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低,缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理,热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动,从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。 |
申请公布号 |
CN101244945B |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN200710165026.1 |
申请日期 |
2005.11.10 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
守屋刚;三桥康至;上殿明良 |
分类号 |
C04B41/00(2006.01)I;C04B41/53(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种配置在收容基板的基板处理装置的收容室内的由碳化硅构成的基板处理装置用部件的制造方法,其特征在于,包括:准备形成有表面的所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件的步骤;将所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件配置在惰性气体气氛中的步骤;在1200℃~1400℃的温度下对所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件进行一个步骤的加热的步骤;和通过加热所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件,使所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低的步骤,所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件通过热熔融的所述基板处理装置用部件的分子发生流动,使所述分子填满所述空孔状缺陷从而使所述空孔状缺陷消失,由此当在所述基板处理装置的收容室内曝露于等离子体中时,减少所述基板处理时的初期的微粒从所述由碳化硅构成的基板处理装置用部件的表面的产生。 |
地址 |
日本东京都 |