半导体存储器装置及其存取方法

摘要

本发明提供了一种半导体存储器装置及其存取方法。示例实施例提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：单元阵列，设置为多个行和多个列；以及读出放大器，响应于与存取时间相对应的写命令和读命令对单元阵列进行写操作和读操作，存取时间的时段可以是可变的。读出放大器根据存取时间的时段来调节写入数据和读出数据的脉冲宽度。

主权项

一种半导体存储器装置，包括：设置为多个行和多个列的单元阵列；以及读出放大器，被构造为响应于与第一存取时间相对应的写命令和读命令而对所述单元阵列进行写操作和读操作，所述存取时间具有可变的时段，其中，所述读出放大器根据所述第一存取时间的时段来调节写入数据和读出数据的脉冲宽度，其中，所述单元阵列包括多个存储库组，每个存储库组具有多个存储库，其中，所述半导体存储器装置被构造为使得用于存取其他存储库组的命令在第二存取时间的时段中输入，所述第二存取时间的时段是所述多个存储库组之中第一存储库组对所述读命令或写命令的第一接受与所述多个存储库组之中下一存储库组对所述读命令或写命令的第一接受之间的时间段，所述第一存取时间的时段比所述第二存取时间的时段长。