一种提高GaN基LED亮度的方法

摘要

本发明公开了一种提高GaN基LED亮度的方法，在蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层时，先在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一金属层，对其高温处理之后通入氨气进行氮化；然后继续生长非掺杂GaN牺牲层，之后同时停止通入三甲基镓和氨气再次高温处理；最后在粗化的界面上生长常规的非掺杂GaN层，并在其上外延生长完整的LED结构，制备出LED芯片。本发明在蓝宝石和GaN界面形成粗化结构，通过两步腐蚀工艺的结合，可以提高腐蚀密度及腐蚀均匀性，得到比较均匀的、衬底与GaN的粗化界面，从而减少光在GaN层的全反射，提高GaN基LED的出光效率。

主权项

一种提高GaN基LED亮度的方法，通过在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂GaN层及半导体外延层制作LED，所述半导体外延层至少包括N型GaN层、P型GaN层、以及位于所述N型GaN层和P型GaN层之间的有源层；其特征在于，在所述蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层包括如下步骤：步骤一、金属有机物化学气相淀积系统中，在氢气气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一层金属层；步骤二、停止通入三甲基镓，高温处理表面附有所述金属层的蓝宝石衬底，温度为900‑1100℃；步骤三、通入氨气进行氮化，然后同时通入三甲基镓和氨气，生长非掺杂GaN牺牲层；步骤四、同时停止通入三甲基镓和氨气，再次进行高温处理，温度为900‑1100℃；步骤五、通入三甲基镓和氨气，生长所述非掺杂GaN层。