发明名称 PLASMA PROCESSING DEVICE
摘要 <p>본 발명은 플라즈마 처리 장치에 있어서, 3개 이상 배열된 전극 중 내측 전극의 하단부가 연면 방전에 기인하는 부식성 성분에 의해 부식되는 것을 방지한다. 3개 이상의 판상의 전극 (21)을 배열한다. 각 전극 (21)의 방전 생성면 (27)을 판상의 고체 유전체를 포함하는 유전 부재 (30)으로 덮는다. 전극 (21)의 측부에 설치한 퍼징 노즐 (70)으로부터 퍼징 가스를 분출한다. 퍼징 가스가 내측의 전극 (21B), (21C), (21D)의 하단부면을 따라 흐른다.</p>
申请公布号 KR101268644(B1) 申请公布日期 2013.05.29
申请号 KR20127029668 申请日期 2011.03.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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