| 摘要 |
<p>스위치 모드 전력 증폭기는 1.0 GHz를 초과하는 입력측 신호에 응답하는 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는 접지에 결합된 일 단자 및 전원에 도전성 결합된 다른 단자를 포함한다. 공진 회로는 출력에 제 2 단자를 결합하고, 저항성 부하가 상기 출력과 접지 사이에 결합된다. 상기 트랜지스터가 턴 온되면, 제 2 단자는 접지에 결합되고, 상기 트랜지스터가 턴 오프되면, 상기 전원으로부터 상기 제 2 단자로 흐르는 전류가 상기 트랜지스터의 내부 캐패시턴스로 흐르고, 상기 제 2 단자의 전압을 최대값까지 상승시킨 후 감소시키며, 상기 제 2 단자의 전압은 상기 공진 회로를 통하여 상기 출력 단자에 결합된다. 바람직한 실시예에서, 상기 트랜지스터는 제 1 단자가 소오스 단자이고 제 2 단자가 드레인 단자인 화합물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 포함한다. 바람직하게는, 상기 전계 효과 트랜지스터는 화합물 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 또는 화합물 메스펫(MESFET)이지만, 다른 실시예에서, 상기 트랜지스터는 화합물 엘디모스(LDMOS), 화합물 바이폴라 트랜지스터 또는 화합물 모스펫(MOSFET)일 수도 있다.</p> |
