硅单晶的制造方法和硅晶片

摘要

按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在原生缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在原生缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

主权项

硅单晶的制造方法，其特征在于，在采用切克劳斯基法的由不存在原生缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶的培育中，使单晶中的氮为1×1012atoms/cm3～5×1014atoms/cm3，并且使培育装置内的气氛气体中的氢分压为40Pa～400Pa，在不发生原生缺陷的速度范围内、且在成为空位优势无缺陷区域的速度范围内提拉单晶直立本体部。