Verringern des Kontaktwiderstands für Feldeffekttransistoreinheiten

摘要

Ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Dotieren einer Graphen-und-Nanoröhrchen-Dünnschichttransistor-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands mit einer Metallelektrode. Das Verfahren weist das selektive Aufbringen eines Dotierstoffs auf einen Metallkontaktbereich einer Graphen-und-Nanoröhrchen-Feldeffekttransistoreinheit zum Verringern des Kontaktwiderstands der Feldeffekttransistoreinheit auf.