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Ein SOI-Wafer enthält eine vergrabene druckverspannte Isolatorstruktur. Bei einem Beispiel kann ein vergrabener verspannter Isolator (BOX) dadurch auf einem Grundwafer ausgebildet werden, dass eine Siliciumoxid-, eine Siliciumnitrid- und eine Siliciumoxidschicht so ausgebildet werden, dass die Siliciumnitridschicht druckverspannt wird. Durch Waferbonden wird die Silicium-Oberflächenschicht auf der verspannten Isolierschicht bereitgestellt. Bei bevorzugten Implementierungen der Erfindung werden MOS-Transistoren dadurch ausgebildet, dass Isolationsgräben so in ein bevorzugtes SOI-Substrat mit einer verspannten BOX-Struktur geätzt werden, dass aktive Bereiche eines Transistors auf der Oberfläche des SOI-Substrats definiert werden. Am besten werden die Gräben so tief ausgebildet, dass sie durch die verspannte BOX-Struktur hindurch gehen und in einem bestimmten Abstand in den darunter liegenden Siliciumteil des Substrats eindringen. Die darüber liegenden aktiven Bereiche des Siliciums erhalten eine Zugverspannung, die durch eine elastische Kantenrelaxation induziert wird.
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