| 发明名称 | 一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说，是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，包括混气室、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板，其中混气室底面分别连接有第一气体入口管路及第二气体入口管路，所述第一气体入口管路及第二气体入口管路的上方设有安装在混气室底面上的进气挡板，第一气体入口管路及第二气体入口管路的入口均位于所述进气挡板的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室相对的两侧面。本发明能实现各工艺气体充分混合，各腔室之间气体均匀分配，使各腔室之间保持相同的工艺状态，而且结构简单，成本低廉，体积小，方便安装维护。 | ||
| 申请公布号 | CN103122456A | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN201110369308.X | 申请日期 | 2011.11.18 |
| 申请人 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 发明人 | 王丽丹;梁学敏;刘忆军 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 白振宇 |
| 主权项 | 一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，其特征在于：包括混气室(1)、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板(6)，其中混气室(1)底面分别连接有第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)，所述第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的上方设有安装在混气室(1)底面上的进气挡板(6)，第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的入口均位于所述进气挡板(6)的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室(1)相对的两侧面。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号 | ||