| 发明名称 | 半导体器件和制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其中半导体元件安装在由绝缘层和布线层组成的电路板的一侧上，包括：金属柱，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上；和密封层，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上，以便覆盖所述半导体元件以及仅暴露出所述金属柱的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101286484B | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN200810087093.0 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 森健太郎;菊池克;山道新太郎 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陆锦华;郇春艳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其中半导体元件安装在由绝缘层和布线层制成的电路板的一侧上，所述半导体器件包括：金属柱，提供在所述电路板的其上安装了所述半导体元件的一侧上；和密封层，提供在所述电路板的其上安装了所述半导体元件的一侧上，以便覆盖所述半导体元件以及仅暴露出所述金属柱的一部分，其中，嵌入材料提供在所述密封层和所述半导体元件之间，或者提供在所述密封层和所述金属柱之间，其中，所述嵌入材料具有比所述密封层低的弹性模量以用作压力缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||