场效应晶体管及间隙壁结构的制作方法

摘要

本发明有关一种场效应晶体管及间隙壁结构的制作方法，一场效应晶体管示范性的结构包括一基底；一位于基底上包括侧壁的栅极结构；一位于基底中栅极结构的一侧的硅化区，硅化区具有一最靠近栅极结构的内部边缘；一邻接栅极结构的侧壁的第一氧密封层；一邻接侧壁上第一氧密封层的含氧层，且含氧层还包括延伸至基底上方的部分；一第二氧密封层，邻接含氧层且延伸至基底上方的部分含氧层上方，其中第二氧密封层的外部边缘与硅化层的内部边缘偏移。本发明形成改善的元件和形成间隙壁的方法。

主权项

一种间隙壁结构的制作方法，包括：于一基底上形成一虚设栅极层和一栅极介电层；于该虚设栅极层上形成一硬式掩模层；以该硬式掩模层为掩模，蚀刻该虚设栅极层和该栅极介电层，于该基底上形成一虚设栅极结构，包括一顶部表面和一侧壁表面，该侧壁表面邻接所欲形成的间隙壁结构；形成该间隙壁结构，包括以下步骤：沉积一第一氧密封层于该虚设栅极结构上；移除该虚设栅极结构的顶部表面的部分第一氧密封层，保留该侧壁表面上的部分第一氧密封层；沉积一含氧层于该第一氧密封层和该虚设栅极结构的顶部表面上；沉积一第二氧密封层于该含氧层上；移除该虚设栅极结构的顶部表面上方的部分第二氧密封层；及薄化该第二氧密封层，且于该薄化步骤中同时移除该硬式掩模层。