信息记录介质及其制造法和记录再生装置

摘要

本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中，利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构，可进行高密度记录，从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。

主权项

一种信息记录介质，具备基板和具有记录层的信息层，并通过激光的照射来进行信息的记录以及再生，上述记录层包含由Te、O、MA、以及MB构成的Te‑O‑MA‑MB材料，其中，MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素，MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素，在上述Te‑O‑MA‑MB材料中，Te原子的含有比例是25原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，所述具有记录层的信息层至少包含3个以上，从所述激光的照射一侧看，设从最深位置的信息层起依次为第1信息层、第2信息层……第N信息层，且所述N为3以上的整数时，则N为3时，所述第1信息层的记录层的厚度在2nm以上50nm以下，所述第2信息层的记录层的厚度在2nm以上30nm以下，所述第N信息层的记录层的厚度在2nm以上20nm以下，N为4以上时，所述第1信息层的记录层的厚度在2nm以上50nm以下，所述第2～第N信息层的记录层的厚度在2nm以上20nm以下。