图形转移方法和掩模版制作方法

摘要

一种图形转移方法和掩模版制作方法，所述图形转移方法通过在基片上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述基片近的光刻胶层的厚度大于距离所述基片远的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂，接着，对所述光阻层进行一次曝光、分步显影以及刻蚀工艺，实现将图形转移至所述距离基片近的光刻胶层，进而从所述光刻胶层转移至所述基片上。本发明仅需要一次曝光就能够实现图形的转移，减少了掩模版数目，节约了生产成本，提高了生产效率，并且通过对曝光能量以及显影时间的调节，实现了对转移至所述光刻胶层上的图形的关键尺寸的控制。

主权项

一种图形转移方法，包括：在基片上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述基片近的光刻胶层的厚度大于距离所述基片远的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂；根据待转移图形，对所述光阻层进行曝光；有选择性地去除所述光阻层，将所述待转移图形转移至所述距离基片近的光刻胶层上；其中，所述有选择性地去除所述光阻层是指去除能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂的透明材料层；去除距离所述基片远的光刻胶层；根据所述光阻层中距离基片近的光刻胶层和透明材料层，对所述基片进行刻蚀，实现所述待转移图形到所述基片的转移。