| 摘要 |
<p>플랫 디스크에 현존하는 플라즈마 소스를 적용하더라도, 흐름체류시간이 충분히 길고, 평형화시간이 충분히 짧아질 수 있도록 하여, 반응류가 평형상태에 쉽게 도달될 수 있도록 함으로써, 분광기술을 적용하여 중심선상의 엔탈피를 산출할 수 있도록 한다. 고압 고밀도의 고엔탈피 반응류를 생성하여 노즐로부터 비평형 상태로 토출하는 플라즈마 소스와, 상기 반응류와 접촉하는 편평한(flat) 디스크 형상의 접촉면이 상기 플라즈마 소스의 노즐을 향하도록, 상기 플라즈마 소스와 동축으로 배치되는 플랫 디스크의 사이에 동축으로 배치되고, 상기 플라즈마 소스와의 사이의 공간에는 보우형 충격파를 생성하는 한편, 상기 플랫 디스크와의 사이의 공간에는, 분광장치가 상기 반응류의 중심축선에 대하여 광을 수광하여 엔탈피를 산출할 수 있도록, 상기 반응류를 비평형 상태에서 평형상태로 변화시켜서 평형영역을 생성하도록, 도넛 형상으로 형성됨을 특징으로 한다.</p> |
