| 摘要 |
1. Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин от механических и органических загрязнений, отличающийся тем, что очистку осуществляют в одну стадию в ванне с моющими аммиачными или бифторидными растворами, активированными окислителями и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие бифторидные растворы, активированные концентрированным озоном.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют аммиачные растворы, активированные концентрированным озоном и перекисью водорода.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что применяют моющие аммиачные или бифторидные растворы в ультразвуковой ванне с амплитудой колебания ультразвукового поля от 15 кГц до 8000 кГц. |
