| 摘要 |
정전기 방전(ESD) 보호 디바이스는 스택형 반도체 다이들의 액티브 층들 사이의 수직 공간 내에서 제조되고 이에 의해 그렇지 않으면 통신 목적들만을 위해 사용될 공간을 활용한다. 쓰루 실리콘 비아(TSV)들의 수직 표면 영역은 ESD 이벤트들로부터 인한 큰 전압들을 흡수하기 위하여 사용된다. 일 실시예에서, ESD 다이오드는 스택형 디바이스의 반도체 다이들의 액티브 층들 사이의 수직 TSV 내에서 만들어진다. 이 ESD 다이오드는 스택의 두 반도체 다이들 상의 회로에 의해 공유될 수 있고 이에 의해 공간을 절약하고 ESD 보호 회로에 의해 요구되는 다이 영역을 감소시킨다. |
