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<p>본 발명은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 옥사이드, 탄소 도핑된 실리콘 니트라이드, 탄소 증착된 실리콘 옥사이드 및 탄소 도핑된 옥시니트라이드 막을 낮은 증착 온도에서 형성시키는 방법을 개시한다. 증착에 사용된 실리콘 함유 전구체는 모노클로로실란(MCS) 및 모노클로로알킬실란이다. 상기 방법은 바람직하게는 플라즈마 강화된 원자층 증착, 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착, 및 플라즈마 강화된 주기적 화학적 기상 증착을 사용하여 실시된다.</p> |
