| 摘要 |
<p>성막 장치는, 처리 용기(2)와, 처리 용기(2) 내에 배치되어 기판(W)을 배치하기 위한 배치대(3)와, 배치대(3)에 대향하여 배치되어 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급 구멍(51b)과, 제2 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급 구멍(52b)과, 제3 처리 가스를 공급하는 제3 가스 공급 구멍(53b)이 설치된 가스 공급면(40a)을 갖는 가스 샤워 헤드(4)를 구비하고 있다. 가스 공급면(40a)은 서로 동일한 크기의 정삼각형으로 이루어진 단위 구획(401)으로 분할되고, 이 단위 구획(401)을 구성하는 각 정삼각형의 3개 정점의 각각에 제1 가스 공급 구멍(51b), 제2 가스 공급 구멍(52b) 및 제3 가스 공급 구멍(53b)이 설치되어 있다. 제1 처리 가스, 제2 처리 가스 및 제3 처리 가스의 각각은 서로 상이하며, 이들 제1 처리 가스, 제2 처리 가스 및 제3 처리 가스를 서로 반응시켜 기판(W)의 표면에 박막을 성막한다.</p> |
