| 摘要 |
본 발명은, 생산성이 우수함과 함께, 우수한 발광 특성을 구비한 III족 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 III족 질화물 반도체 발광 소자, 및 램프를 제공하는 것을 목적으로 하고, 기판(11) 상에 III족 질화물 화합물로 이루어지는 버퍼층(12)을 적층하고, 상기 버퍼층(12) 상에, 하지층(14a)을 구비하는 n형 반도체층(14), 발광층(15) 및 p형 반도체층(16)을 순차 적층하는 방법이며, 기판(11)에 대해 플라즈마 처리를 행하는 전처리 공정과, 전처리 공정에 이어서, 기판(11) 상에 버퍼층(12)을, 적어도 금속 Ga 원료와 V족 원소를 포함한 가스를 플라즈마에 의해 활성화하여 반응시킴으로써 AlGaN(0≤X<1)으로 이루어지는 조성으로 형성하는 버퍼층 형성 공정과, 버퍼층(12) 상에 하지층(14a)을 형성하는 하지층 형성 공정을 구비하는 제조 방법을 제공한다. |
