| 摘要 |
1. Способ формирования ультратонкой пленки, включающий осаждение атомов адсорбата на подложку в вакууме и наращивание пленки монослой за монослоем, отличающийся тем, что плотность потока атомов адсорбата, одновременно и на всем его протяжении, по сечению, параллельному поверхности подложки, поддерживают одинаковой.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кинетическую энергию атомов адсорбата поддерживают преимущественно минимально-возможной, но не менее значения, необходимого для обеспечения скорости осаждения, превышающей скорость осаждения на подложку паров остаточной атмосферы.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение атомов адсорбата периодически прекращают, предпочтительно в момент начала уменьшения скорости роста температуры пленки, и затем возобновляют при достижении температурой поверхности подложки ее исходного уровня, в том числе в процессе формирования, по крайней мере, первого монослоя пленки.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют поверхность подложки преимущественно с наиболее плотной атомной упаковкой.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что устанавливают энергетическую плотность поверхностных электронных состояний вблизи уровня Ферми преимущественно максимальной.6. Способ по п.1, отличающийся тем, что задают более высокое количество и/или противоположный знак носителей заряда, на поверхности подложки по отношению к их количеству и/или знаку в объеме подложки. |
