发明名称 LASER MACHINING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
摘要 <p>기판의 두께 방향으로 깊이를 바꾸어 여러 차례 개질 영역을 형성할 때에, 형성되는 개질 영역이 절단 예정선으로부터 벗어나는 것을 억제할 수가 있는 레이저 가공 방법을 제공한다. 기판(10)을 칩에 절단하는 레이저 가공 방법으로서, 레이저 광이 절단 예정선(21a)을 따라 기판(10)의 X방향으로 주사하는 제1 주사(a)와 절단 예정선(21b)을 따라 Y방향으로 주사하는 제2 주사(b)로 레이저 광이 입사하는 면으로부터 기판(10) 내의 깊은 거리 d1에 개질 영역을 형성한다. 다시, 레이저 광이 절단 예정선(21a)을 따라 기판(10)을 X방향으로 주사하는 제3 주사(c)와 절단 예정선(21b)을 따라 Y방향으로 주사하는 제4 주사(d)로 레이저 광이 입사하는 면으로부터 기판(10) 내의 얕은 거리 d2(d1>d2)에 개질 영역을 형성한다. 또, 제3 주사(c)는 외주의 U단부로부터 중앙부를 향하는 주사와 외주의 D단부로부터 중앙부를 향하는 주사로 행한다.</p>
申请公布号 KR101267105(B1) 申请公布日期 2013.05.24
申请号 KR20117011274 申请日期 2010.02.25
申请人 发明人
分类号 B23K26/00;H01L21/301;H01L21/78 主分类号 B23K26/00
代理机构 代理人
主权项
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