Verfahren zum Herstellen einer Epitaxieschicht und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbeuelements

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Epitaxieschicht, wobei das Verfahren folgende Merkmale aufweist: – Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (10), bei dem zumindest ein oberflächennaher Bereich (12) eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens 1·1018 cm–3 aufweist, wobei die Dotierstoffkonzentration von wenigstens 1·1018 cm–3 in dem oberflächennahen Bereich durch Implantation von Dotierstoff in den oberflächennahen Bereich des Halbleitersubstrats hergestellt wird und wobei der Dotierstoff bis in eine Tiefe t1 in das Halbleitersubstrat eingebracht wird; – Zeitlich begrenztes Aufschmelzen des oberflächennahen Bereichs (12) des Halbleitersubstrats (10) bis in eine Tiefe t2, wobei die Tiefe t2 größer ist als die Tiefe t1; – Epitaktisches Abscheiden einer Halbleiterschicht (14) auf der einkristallin rekristallisierten Oberfläche (11) des Halbleitersubstrats (10), wobei die Halbleiterschicht (14) mindestens 1 μm dick abgeschieden wird.