Gekapselte Halbleiterdiode mit PN-Übergang,申请号AT19610007290-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Gekapselte Halbleiterdiode mit PN-Übergang
摘要
申请公布号	AT227779(B)	申请公布日期	1963.06.10
申请号	AT19610007290	申请日期	1961.09.27
申请人	WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED	发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
地址

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