Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe, umfassend: (a) Verrunden der Kante der von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe mittels einer Schleifscheibe enthaltend Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 20,0–60,0μm; (b) gleichzeitig beidseitige Material abtragende Bearbeitung der Halbleiterscheibe, die frei beweglich in einer Aussparung einer von mehreren mittels einer Abwälzvorrichtung in Rotation versetzten Läuferscheiben liegt und dadurch auf einer zykloidischen Bahnkurve bewegt wird, wobei die Halbleiterscheiben zwischen zwei rotierenden ringförmigen Arbeitsscheiben bearbeitet werden, wobei jede Arbeitsscheibe eine Arbeitsschicht umfasst, die Abrasive mit einer mittleren Größe von 5,0–20,0μm enthält; (c) gleichzeitig beidseitige Material abtragende Bearbeitung der Halbleiterscheibe, die frei beweglich in einer Aussparung einer von mehreren mittels einer Abwälzvorrichtung in Rotation versetzten Läuferscheiben liegt und dadurch auf einer zykloidischen Bahnkurve bewegt wird, wobei die Halbleiterscheiben zwischen zwei rotierenden ringförmigen Arbeitsscheiben bearbeitet werden, wobei jede Arbeitsscheibe eine Arbeitsschicht umfasst, die Abrasive mit einer mittleren Größe von 0,5–15,0μm enthält, wobei die Korngröße kleiner ist als die in Schritt b) verwendete Korngröße; (d) Verrunden der Kante der Halbleiterscheibe mittels einer Schleifscheibe enthaltend Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 1,0μm bis zu 20,0μm, wobei die Korngröße kleiner ist als die in Schritt a) verwendete Korngröße; (e) Behandlung beider Seiten der Halbleiterscheibe mit einem ätzenden Medium bei einem Materialabtrag von nicht mehr als 1μm pro Seite der Halbleiterscheibe; (f) Politur der Vorderseite der Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Poliertuchs mit gebundenen Abrasiven mit einer mittleren Korngröße von 0,1–1,0μm und gleichzeitig die Rückseite der Halbleiterscheibe mittels CMP mit einem CMP-Poliertuch ohne gebundene Abrasive poliert wird (g) Polieren der Kante der Halbleiterscheibe (h) chemisch-mechanische Politur (CMP) wenigstens der Vorderseite.