发明名称 |
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 |
摘要 |
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:在硅衬底上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;采用MOCVD的方法,在沟槽内的硅衬底上依次生长缓冲层、超晶格缓冲层、沟道层、隔离层、N型重掺杂的电子供应层和盖层;采用化学抛光的方法,将盖层抛光,抛光后的粗糙度小于1nm;通过光刻、腐蚀、金属布线工艺,在抛光后的盖层上沿沟槽的方向形成源极、漏极和栅极,完成器件的制备。本发明是通过改变原料,增加一层超晶格缓冲层,并结合高深宽比沟槽限制技术,抑制了界面适配位错和APD向外延层的延伸。 |
申请公布号 |
CN103117222A |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201310019627.7 |
申请日期 |
2013.01.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青 |
分类号 |
H01L21/335(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/335(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长二氧化硅层;步骤2:采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;步骤4:采用MOCVD的方法,在沟槽内的硅衬底上依次生长缓冲层、超晶格缓冲层、沟道层、隔离层、N型重掺杂的电子供应层和盖层;步骤5:采用化学抛光的方法,将盖层抛光,抛光后的粗糙度小于1nm;步骤6:通过光刻、腐蚀、金属布线工艺,在抛光后的盖层上沿沟槽的方向形成源极、漏极和栅极,完成器件的制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |