半导体装置

摘要

本发明提供一种装置，优选是具有低偏振相关增益的光放大器。所述放大器包括增益介质，所述增益介质包括多个邻接的半导体层以提供光增益，其中所述邻接的半导体层界定电子的一个或一个以上量子阱，并且用于在增益介质中提供直接电子-空穴跃迁以及间接电子-空穴跃迁两者。导带中的第一量化电子能级以及价带中的第一量化空穴能级位于第一层中。价带中的另一第一量化空穴能级位于邻近的第二层中。所述第一层中的所述第一量化空穴能级为轻空穴状态或重空穴状态，并且所述第二层中的所述另一第一量化空穴能级的空穴状态与所述第一层中的所述第一量化空穴能级不同。所述第二层优选包括In1-x-yAlxGayAs（x>0，y>0）。

主权项

一种用于接收输入光及输出放大的光的光放大器，包括：A）光波导，用于接收输入光以及输出放大的光；B）增益介质，包括多个邻接的半导体层以提供光增益；C）电极，用以输送电流通过所述增益介质；其中，所述多个邻接的半导体层界定电子的一个或一个以上量子阱，并且用于在所述增益介质中提供直接电子‑空穴跃迁以及间接电子‑空穴跃迁两者，由此；i）导带中的第一量化电子能级位于第一层中；ii）价带中的第一量化空穴能级位于所述第一层中；iii）所述价带中的另一第一量化空穴能级位于邻近的第二层中；并且所述第二层的材料组合物与所述第一层不同；其中，所述第一层中的所述第一量化空穴能级为轻空穴状态或重空穴状态，并且所述第二层中的所述另一第一量化空穴能级的空穴状态与所述第一层中的所述第一量化空穴能级不同。