发明名称 高分子仿生触摸传感器装置
摘要 本实用新型涉提供一种高分子仿生触摸传感器装置,包括在弹性层上设置电极阵列,电极阵列由硬质绝缘保护层覆盖,绝缘保护层附着在硬质基板上,弹性层的另一面涂覆软质导电屏蔽层,软质导电屏蔽层外覆盖保护层。装置工作时,传感器压在物体上,物体通过外覆盖的保护层使软质导电屏蔽层发生变形,导致电极阵列的各电极与软质导电屏蔽层有所不同,其电容量也就发生了相应的改变,于是通过电容量的变化就能传感到物体的形状和性质,达到类似仿生触摸传感的目的。
申请公布号 CN202948429U 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201220545678.4 申请日期 2012.10.24
申请人 成都天宇创新科技有限公司 发明人 胡天华
分类号 G06F3/044(2006.01)I 主分类号 G06F3/044(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高分子仿生触摸传感器装置,包括硬质基板、硬质绝缘保护层、电极阵列、弹性层、软质导电屏蔽层、保护层,其特征在于:在弹性层上设置电极阵列,电极阵列由硬质绝缘保护层覆盖,绝缘保护层附着在硬质基板上,弹性层的另一面涂覆软质导电屏蔽层,软质导电屏蔽层外覆盖保护层。
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