发明名称 一种生产高纯钴的方法
摘要 本发明涉及一种生产高纯钴的方法,其特征在于(1)将CoSO4溶液或CoSO4加CoCl2的混合溶液用离子交换和活性炭吸附的方法进行净化处理,(2)净化处理的钴盐溶液再通入电解槽进行电积,(3)将电积钴进行真空脱气和真空熔炼而得到高纯钴铸锭。本发明使用的离子交换树脂至少包括对除Fe有特殊效果的Diphonix树脂和对除Ni有特殊效果的M-4195树脂;离子交换之后进行活性炭吸附处理。使用本发明可以生产纯度为99.99~99.9999%、气体含量低的高纯钴。
申请公布号 CN102206761B 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201010133634.6 申请日期 2010.03.29
申请人 苏州晶纯新材料有限公司 发明人 王广欣;钟小亮
分类号 C22B23/06(2006.01)I;C25C1/08(2006.01)I 主分类号 C22B23/06(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 汪青
主权项 一种生产高纯钴的方法,其特征在于:(1)直接用去离子水水溶硫酸钴CoSO4.7H2O制备钴浓度为60‑100g/L的钴盐溶液,然后加H2SO4调节钴盐溶液的pH值至1‑3;或者,直接用去离子水水溶硫酸钴CoSO4.7H2O和盐酸钴CoCl2.6H2O制备钴浓度为60‑100g/L的钴盐溶液,然后加H2SO4或HCl调节钴盐溶液的pH值至1‑3,其中CoSO4和CoCl2的比例大于4∶1;然后将CoSO4溶液或CoSO4加CoCl2的混合溶液通入特殊的离子交换树脂进行净化处理,所述的离子交换树脂至少包括对除Fe有良好效果的Diphonix树脂和对除Ni有良好效果的M‑4195树脂;离子交换之后进行活性炭吸附处理;(2)将净化处理的CoSO4溶液或CoSO4+CoCl2混合溶液通入电解槽进行电积得到电积高纯钴,电积阴极电流密度为100~300A/m2,钴盐溶液温度为50~70℃;(3)将电积钴进行真空脱气和真空熔炼而得到高纯钴铸锭,其中真空脱气温度在800℃以下。
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