发明名称 |
发光元件、发光器件和电子设备 |
摘要 |
本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备,其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。 |
申请公布号 |
CN101853923B |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201010150737.3 |
申请日期 |
2006.04.17 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;形成在第一电极和第二电极之间的发光层;以及形成在第二电极和发光层之间的第一混合层和第二混合层,其中第二混合层与第二电极接触,其中第一混合层包括电子传输物质和双极物质中的至少一种,以及选自下列中的至少一种物质:碱性金属、碱土金属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟化物,其中第二混合层包括芳族烃和金属氧化物,其中所述金属氧化物包括氧化钼,其中所述第一电极是阳极,并且其中所述第二电极是阴极。 |
地址 |
日本神奈川 |