基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法

摘要

本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法，该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一层和第五层，第一记录层（2）和第二记录层（4）分别是光盘的第二层和第四层，吸收层（3）是光盘的第三层，它是吸收多余红外线的区域，将透过第一记录层（2）和第二记录层（4）的多余红外线吸收。本发明将氮化铜的这种低温热分解特性运用到光盘中，并且对光盘的结构进行改良，制作出全新且无毒的基于氮化铜的一次写入型双面光盘。

主权项

一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘，其特征在用于该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一层和第五层，它们是光盘其它部分的载体，也是整个光盘的物理外壳；第一记录层（2）和第二记录层（4）分别是光盘的第二层和第四层，它们是烧录时刻录信号的地方，利用磁控溅射方法制备的氮化铜薄膜一次性光存储介质，由于烧录前后的反射率不同，读取不同长度的信号时，通过反射率的变化形成0与1信号，借以读取信息；吸收层（3）是光盘的第三层，它是吸收多余红外线的区域，将透过第一记录层（2）和第二记录层（4）的多余红外线吸收。