发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
在半导体晶片(1)的正面形成正面表面结构(2)的电路图案的同时形成对准标记(3)。接着,在半导体晶片(1)的正面利用透明的粘接剂(11)贴合透明的支撑基板(12)。接着,在半导体晶片(1)的背面涂布抗蚀剂(13)。接着,在曝光装置的工作台(21)上以支撑基板(12)侧朝下的状态承载半导体晶片(1)。接着,利用布置在工作台(21)下方的相机(22),从工作台(21)的下方透过支撑基板(12)及粘接剂(11)识别形成在半导体晶片(1)的正面的对准标记(3),对准半导体晶片(1)和光掩膜(24)的位置。接着,对抗蚀剂(13)进行图案化。接着,将抗蚀剂(13)作为掩膜,在半导体晶片(1)的背面形成背面表面结构的电路图案。 |
申请公布号 |
CN103119698A |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201080069128.3 |
申请日期 |
2010.09.30 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
中岛经宏;中泽治雄 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
金光军;金玉兰 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,在半导体晶片的背面进行与该半导体晶片的正面的表面形状对应的图案化,且包括在所述半导体晶片的正面利用粘接剂贴合支撑基板的贴合工序,该粘接剂具有能够透视该半导体晶片的正面的透明度,该支撑基板具有能够透视该半导体晶片的正面的透明度。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |