发明名称 |
一种沟槽MOSFET |
摘要 |
本实用新型提出了一种沟槽MOSFET,该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层,形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区,在沟槽的内表面形成有第一介质层,在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层,在轻掺杂区内形成有重掺杂区,该沟槽MOSFET还包括外围金属层,栅极金属层,源极金属层和漏极金属层。本实用新型的沟槽MOSFET采用沟槽结构代替传统分压环来控制器件耐压,能够减少工艺步骤,降低成本,提高生产效率和可靠性。 |
申请公布号 |
CN202948934U |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201220420536.5 |
申请日期 |
2012.08.23 |
申请人 |
宁波比亚迪半导体有限公司 |
发明人 |
李俊俏;唐;朱超群;陈宇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种沟槽MOSFET,其特征在于,包括:衬底及其上形成的外延层,所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同;形成在所述外延层内的沟槽及被所述沟槽分割的轻掺杂区,所述轻掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相反,所述沟槽包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽;在所述沟槽的内表面形成有第一介质层,在所述沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层,所述填充层将所述沟槽充满;在所述第三沟槽和第四沟槽之间的轻掺杂区内形成有重掺杂区,所述重掺杂区由不相连接的两部分构成,所述重掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同;以及外围金属层,栅极金属层,源极金属层和漏极金属层,所述外围金属层形成在所述第一沟槽之上,所述栅极金属层形成在所述第二沟槽之上,所述源极金属层形成在所述第三沟槽和第四沟槽之间的外延层之上,所述漏极金属层形成在所述衬底之下。 |
地址 |
315800 浙江省宁波市宁波保税区南区庐山西路155号 |