发明名称 一种声发射传感器及其制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种声发射传感器,包括压电元件、背衬层和屏蔽外界干扰的封装层,所述压电元件和背衬层位于封装层内,压电元件的上表面为正极,下表面为负极,压电元件的下表面直接与封装层相连,压电元件的其他面与背衬层相连,背衬层直接与封装层相连。本发明还公开了该传感器的制备方法和应用。本发明传感器与混凝土结构相容性好,抗干扰效果好,灵敏度高,响应频带宽,制作工艺简单,结构合理,价格低,使用方便,并适合埋入混凝土结构内部,对声发射技术在土木工程结构健康监/检中的应用研究与发展具有重要的意义。
申请公布号 CN103115967A 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201310026643.9 申请日期 2013.01.21
申请人 济南大学 发明人 黄世峰;徐东宇;叶正茂;芦令超;李蜜蜜;程新
分类号 G01N29/14(2006.01)I 主分类号 G01N29/14(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 李桂存
主权项 一种声发射传感器,其特征是:包括压电元件、背衬层和屏蔽外界干扰的封装层,所述压电元件和背衬层位于封装层内,压电元件的上表面为正极,下表面为负极,压电元件的下表面直接与封装层相连,压电元件的其他面与背衬层相连,背衬层直接与封装层相连。
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