发光器件

摘要

提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。

主权项

一种发光器件，包括：层结构，通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二化合物半导体层来获得；第二电极，形成于所述第二化合物半导体层上；以及第一电极，电连接于所述第一化合物半导体层，其中，所述层结构具有由所述第二化合物半导体层的在所述第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成的构造，所述第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度，并且所述第一化合物半导体层中形成有高折射率层，所述高折射率层由具有比所述第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。