| 发明名称 | 反调STI形成 | ||
| 摘要 | 一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本发明还提供了反调STI形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103117243A | 申请公布日期 | 2013.05.22 |
| 申请号 | CN201210074766.5 | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张开泰;陈颐珊;陈欣志;柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模；图案化所述硬掩模以形成第一多个沟槽；在所述第一多个沟槽中填充有介电材料，以形成多个介电区域；从所述多个介电区域之间去除所述硬掩模，其中，由去除的硬掩模留下第二多个沟槽；以及实施外延步骤，以在所述第二多个沟槽内生长半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||