GaN@SiO₂微米材料的制备方法

摘要

本发明属于发光材料制备技术领域，提出了一种GaN@SiO2微米材料的制备方法，该材料主要用于防止GaN材料的水解，本发明采用的制备步骤是GaOOH微米材料的制备-GaN微米材料的制备-GaN@SiO2微米材料的制备，本发明GaN@SiO2微米材料在室温下较稳定，SiO2的包覆钝化了GaN材料的表面活性，改善了GaN材料在室温下易被水解的缺点，这一发明拓展了GaN基材料在发光二级管、激光器、电子场效应晶体管、异质结双极晶体管、探测器等方面的应用，本发明反应设备和工艺简单易操作，适合于工业化生产及应用。

主权项

一种GaN@SiO2材料的制备方法，其特征是采用以下步骤：(1).GaOOH微米材料的制备：在N，N‑二甲基甲酰胺和蒸馏水的混合溶液中加入GaCl3和PVP粉末试剂，然后在搅拌下溶解，将此溶液转移到聚四氟乙烯的低温釜中，密封后升温至160℃‑200℃，保温不少于12小时，得到GaOOH微米材料；(2).GaN微米材料的制备：将上述方法制备的GaOOH粉末置于石英舟中，再水平放置于管式石英炉中，加热前先通NH3 20分钟，然后以10℃/min的速率升温到800℃，恒温100分钟，之后在NH3气氛下自然冷却到室温，即得到GaN微米材料；(3).GaN@SiO2微米材料的制备：将上述方法制备的GaN微米粉末加入到异丙醇和蒸馏水的混合溶液中，在超声波的条件下形成悬浊液，在搅拌的条件下，加入氨水来调节pH值，然后慢慢滴加少量的TEOS溶液，搅拌6小时后过滤洗涤，便可得到GaN@SiO2微米材料。