| 摘要 |
<p>본 발명은 시모스 이미지센서 픽셀구조 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 기판 내부에 p형 이온주입영역을 깊숙히 형성함으로써, 경사입사광으로 인한 누화현상을 방지하고 또한, 벌크영역의 결함에 의하여 발생된 전자들이 포토다이오드로 유입하는 것을 방지하여 이미지센서의 광 특성을 향상시킨 발명이다. 이를 위한 본 발명에서는, 단위화소영역의 기판 깊숙히 p형 이온주입영역을 추가로 형성하여 주었다. 이때, p형 이온주입영역은 필드절연막의 하부에서는 상대적으로 얕게 형성되며, 나머지 영역에서는 상대적으로 깊게 형성되어 전위장벽의 역할을 수행한다.</p> |
