发明名称 用于电刺激神经结构的具有三维布局的植入物
摘要 本发明涉及一种适用于电刺激神经结构特别是视网膜的植入物,它包括:电绝缘基底(1),形成于基底上表面中的凹陷(2)阵列,设置在凹陷底部的刺激电极(3),以及形成在凹陷上部的接地面(4)的导电层。植入物的凹陷和电极的大小达到使得施加至神经结构的刺激电流的空间选择性最大化的程度。
申请公布号 CN103118739A 申请公布日期 2013.05.22
申请号 CN201180029972.8 申请日期 2011.04.29
申请人 皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学) 发明人 亨里·洛拉奇;米兰·德吉拉斯;布莱塞·伊弗特;菲利普·伯贡佐;加埃莱·利索尔久埃斯;利奥内尔·卢梭;尔亚德·本杰明·贝诺斯梅恩;瑟吉·皮科德;乔塞·萨黑尔;西奥霍伊·伊恩格
分类号 A61N1/05(2006.01)I;A61N1/372(2006.01)I 主分类号 A61N1/05(2006.01)I
代理机构 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 代理人 童锡君
主权项 适用于神经结构的电刺激的植入物,包括:‑电绝缘基底(1);‑形成于所述基底上表面中的空腔(2)阵列;‑刺激电极(3),各个刺激电极都设置在其中一个所述空腔的底部;以及‑导电层,所述导电层在所述空腔上部形成接地面(4)。
地址 法国巴黎