主权项 |
一种氮化镓基增强耗尽型电平转换电路,包括第一反相电路,第一输出电路,第二反相电路,第二输出电路;所述的第一反相电路的输出端与第一输出电路的输入端相接,第一输出电路的输出端与第二反相电路的输入端相接,第二反相电路的输出端与第二输出电路的输入端相接;其中:所述的第一反相电路单元中的耗尽型高电子迁移率晶体管T1的漏极接正偏置线,T1的源极和其栅极短接后,分别与增强型高电子迁移率晶体管T2的漏极和第一输出电路单元中的增强型高电子迁移率晶体管T3的栅极相连;T2的栅极接输入VIN,T2的源极接地线;所述的第一输出电路单元中的T3的漏极接正偏置线,T3的栅极接T2的漏极,T3的源极接肖特基二极管D1的正极;D1的负极接肖特基二极管D2的正极,D2的负极接肖特基二极管D3的正极,D3的负极接肖特基二极管D4的正极;D4的负极接耗尽型高电子迁移率晶体管T4的漏极,T4的栅极和源极接负偏置线,T4的漏极接耗尽型高电子迁移率晶体管T6的栅极和第二输出VOUT1;所述的第二反相电路单元中的增强型高电子迁移率晶体管T5的漏极接正偏置线,T5的源极和其栅极短接后,分别与T6的漏极和第二输出电路单元中耗尽型高电子迁移率晶体管T7的栅极相接;T6的栅极接第一输出VOUT1,T6的源极接地线;所述的第二输出电路单元中的T7的漏极接正偏置线,T7的栅极接T6的的漏极,T7的源极接肖特基二极管D5的正极;D5的负极接肖特基二极管D6的正极,D6的负极接肖特基二极管D7的正极,D7的负极接肖特基二极管D8的正极;D8的负极接增强型高电子迁移率晶体管T8的漏极,T8的栅极和源极接负偏置线,T8的漏极接第二输出VOUT2。 |