存储元件、半导体存储装置、存储元件的制造方法及半导体存储装置的读出方法

摘要

提供一种即使微细化也能够防止二极管的特性劣化及破坏的存储元件。有关本发明的存储元件（100）具备基板（10）、形成在基板之上的多个第1电极（11a、11b）、第2电极（12）及第3电极（13）、形成在多个第1电极与第2电极之间的电阻变化层（20）、以及形成在第2电极与第3电极之间的非导体层（30）。电阻变化层（20）包括形成在多个第1电极侧的高浓度电阻变化层（21）、以及形成在第2电极侧且氧浓度比高浓度电阻变化层（21）低的低浓度电阻变化层（22）。在存储元件（100）中，由第2电极、非导体层及第3电极构成二极管（100D），由多个第1电极、电阻变化层及第2电极构成与多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件（100Ra、100Rb）。

主权项

一种存储元件，具备：基板；层叠在上述基板之上的多个第1电极、第2电极及第3电极；电阻变化层，形成在上述多个第1电极与上述第2电极之间；以及非导体层，形成在上述第2电极与上述第3电极之间；上述电阻变化层由形成在上述多个第1电极侧的高浓度电阻变化层、以及形成在上述第2电极侧的低浓度电阻变化层构成，上述低浓度电阻变化层氧浓度比上述高浓度电阻变化层的氧浓度低；由上述第2电极、上述非导体层以及上述第3电极构成二极管；上述第2电极、上述第3电极、上述电阻变化层以及上述非导体层以跨上述多个第1电极的方式构成；由上述多个第1电极、上述电阻变化层以及上述第2电极构成与上述多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件；上述多个电阻变化元件的电阻值根据施加在上述第1电极与上述第2电极之间的电压而分别独立地变化。