闪存的测试方法

摘要

本发明公开了一种闪存的测试方法，该方法至少分两次向闪存的若干行存储单元施加电压应力，每次施加电压应力之后或者所有存储单元被施加电压应力之后，逐一判断被施加过电压应力的存储单元的漏电流是否符合要求，在每次施加电压应力时，由于未被施加电压应力的存储单元控制栅极所连接的字线、源极所连接的源极线及漏极所连接的位线均接零伏电压，故减小了每条位线上的漏电流总和；由于位线上的漏电流总和减小了，从而极大地降低了热电子产生的几率和热电子窜入浮栅的概率，进而不会将一些漏电流符合要求的存储单元误判为漏电流不符合要求的存储单元，提高了测试的准确度。

主权项

一种闪存的测试方法，所述闪存包括多条字线、与多条字线相交的多条位线及多行存储单元，每个所述存储单元配置在一条字线与一条位线的交点处，同一行存储单元的控制栅极连接到同一条字线上，同一列存储单元的漏极连接到同一条位线上，同一行存储单元的源极连接到同一条源极线上，其特征在于，所述方法包括：逐次向若干行存储单元施加电压应力，直至所有存储单元均被施加所述电压应力，每次施加所述电压应力的步骤包括：向若干行存储单元的源极所连接的源极线施加正电压、控制栅极所连接的字线及漏极所连接的位线施加零伏电压；每次施加所述电压应力之后或者所有存储单元被施加所述电压应力之后，逐一判断被施加过所述电压应力的存储单元的漏电流是否符合要求，包括：从被施加过所述电压应力的存储单元中读取数据以获取测试结果，将所述测试结果与判断标准进行比较，所述测试结果为读出电流或读出电压。